加入收藏 | 设为首页 
   
科技导报  2021, Vol. 39 Issue (14): 42-55    DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.004
  专题:第三代半导体的创新发展 本期目录 | 过刊浏览 | 高级检索 |
第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
蔡蔚, 孙东阳, 周铭浩, 郭庆波, 高晗璎
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院, 哈尔滨 150080
Third generation wide bandgap power semiconductors and their applications
CAI Wei, SUN Dongyang, ZHOU Minghao, GUO Qingbo, GAO Hanying
School of Electrical and Electronic Engineering, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China
版权所有 © 《科技导报》编辑部    京ICP备14028469号-1
地址:北京市海淀区学院南路86号科技导报社 邮编:100081
电话:010-62138113,传真:010-62138113 电子信箱:kjdbbjb@cast.org.cn