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科技导报  2021, Vol. 39 Issue (14): 63-68    DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.006
  专题:第三代半导体的创新发展 本期目录 | 过刊浏览 | 高级检索 |
4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展
张玉明, 袁昊, 汤晓燕, 宋庆文, 何艳静, 李东洵, 白志强
西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071
Research progress on reliability of 4H-SiC power Schottky diodes
ZHANG Yuming, YUAN Hao, TANG Xiaoyan, SONG Qingwen, HE Yanjing, LI Dongxun, BAI Zhiqiang
School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
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