%A 王 风;程志梅;刘高斌 %T 闪锌矿ZnSe电子结构的第一性原理 %0 Journal Article %D 2010 %J 科技导报 %R %P 53-56 %V 28 %N 24 %U {http://www.kjdb.org/CN/abstract/article_3019.shtml} %8 2010-12-10 %X 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波赝势(PWP)方法,计算了闪锌矿结构ZnSe晶体的晶格常数、能带结构、态密度以及电荷布居,计算结果表明,闪锌矿结构的ZnSe是一种直接带隙半导体材料,其下价带主要由Zn 3d电子贡献,上价带主要由Se 4p电子形成,导带主要来自于Zn 4s电子以及Se原子最外层电子,Zn原子与Se原子之间形成的是包含弱离子键的共价键,净电荷值分别为0.14e和-0.14e。