%A 赵君芙;邵桂雪;李天保;梁 建;许并社 %T 不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展 %0 Journal Article %D 2011 %J 科技导报 %R 10.3981/j.issn.1000-7857.2011.09.013 %P 76-79 %V 29 %N 11-09 %U {http://www.kjdb.org/CN/abstract/article_3327.shtml} %8 2011-03-28 %X 由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点。本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点