%A 张 鹤;戴志华;张晓丹;魏长春;孙 建;耿新华;赵 颖 %T 腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响 %0 Journal Article %D 2009 %J 科技导报 %R %P 19-21 %V 27 %N 0920 %U {http://www.kjdb.org/CN/abstract/article_642.shtml} %8 2009-10-28 %X 考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5 nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40%~80%),由不同探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准,考查不同硅烷浓度下制备的样品,发现在相同沉积条件下,材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大,沉积速率随之大幅提高。观察发现,在电极板和腔室壁上积累了大量硅反应残留物(硅粉末和硅薄膜),分析认为,薄膜特性漂移是这些硅残留物不断参与等离子体及成膜反应的结果。研究表明,提高硅烷浓度可有效校正微晶硅薄膜电学及结构特性的漂移,同时保持高速沉积。