4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

张玉明, 袁昊, 汤晓燕, 宋庆文, 何艳静, 李东洵, 白志强

科技导报 ›› 2021, Vol. 39 ›› Issue (14) : 63-68.

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科技导报 ›› 2021, Vol. 39 ›› Issue (14) : 63-68. DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.006
专题：第三代半导体的创新发展

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Research progress on reliability of 4H-SiC power Schottky diodes

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2021, 39(14): 63-68 https://doi.org/10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.006
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2021, 39(14): 63-68 https://doi.org/10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.006
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{{article.reference}}

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