4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

张玉明, 袁昊, 汤晓燕, 宋庆文, 何艳静, 李东洵, 白志强

科技导报 ›› 2021, Vol. 39 ›› Issue (14) : 63-68.

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科技导报 ›› 2021, Vol. 39 ›› Issue (14) : 63-68. DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.006
专题：第三代半导体的创新发展

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

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Research progress on reliability of 4H-SiC power Schottky diodes

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