先进封装中硅通孔（TSV）铜互连电镀研究进展

doi:10.3981/j.issn.1000-7857.2023.05.002

PDF(1525 KB)

科技导报 ›› 2023, Vol. 41 ›› Issue (5) : 15-26. DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2023.05.002

专题：制造强国建设

先进封装中硅通孔（TSV）铜互连电镀研究进展

{{article.zuoZhe_CN}}

作者信息 -

作者简介:

通信作者:

Progress of the interconnected copper electroplating in TSV (through silicon via) of advanced packaging

{{article.zuoZhe_EN}}

Author information -

Corresponding authors:

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2023, 41(5): 15-26 https://doi.org/10.3981/j.issn.1000-7857.2023.05.002

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2023, 41(5): 15-26 https://doi.org/10.3981/j.issn.1000-7857.2023.05.002

中图分类号：

参考文献

列表( 原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序 ) 可视化分析

参考文献

基金

版权

PDF(1525 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容