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科技导报  2021, Vol. 39 Issue (14): 30-41    DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.003
  专题:第三代半导体的创新发展 本期目录 | 过刊浏览 | 高级检索 |
紫外LED研究进展
李晋闽1,2,3, 闫建昌1,2,3, 郭亚楠1,2,3, 任睿1,2,3, 蔡听松1,2,3, 王军喜1,2,3
1. 中国科学院半导体研究所, 北京 100083;
2. 中国科学院大学材料与光电研究中心, 北京 100049;
3. 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 100083
Recent progress of ultraviolet light-emitting diodes
LI Jinmin1,2,3, YAN Jianchang1,2,3, GUO Yanan1,2,3, REN Rui1,2,3, CAI Tingsong1,2,3, WANG Junxi1,2,3
1. Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;
2. Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
3. State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing 100083, China
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