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摘要 据2003年12月3日英国《新科学家》报道:美国英特尔公司开发了一种新式秘密技术来提高奔腾和Centrino芯片的速度。芯片的传导速度取决于晶体管的开关速度,而开关速度取决于电流流过它的速度,即取决于电荷流经的距离。电流速度是由材料决定的。芯片制造商用硅做材料,通常是通过缩小晶体管来提高开关速度,但进一步缩小芯片有困难。针对此,英特尔公司开发的这种技术不用缩小晶体管,而是通过改变硅的晶体结构来提高电流速度,所以也称之为变形硅技术。电流的速度取决于硅的晶体结构。在硅晶格内部,每个原子周围的电子形成叫做“轨道式”的能态,这些能态结合在一起就形成了可使电子和空穴流经晶格的连续能带。每个硅原子有6个耳
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| 关键词 ：
英特尔公司,
新技术,
晶格点阵,
芯片制造商,
正电荷,
晶体管,
氮化硅,
开关速度,
晶体结构,
电流速度
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收稿日期: 1900-01-01
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2004, Vol. 22 
