21世纪微电子技术发展展望

李志坚

科技导报 ›› 1999, Vol. 17 ›› Issue (993) : 11-13.

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科技导报 ›› 1999, Vol. 17 ›› Issue (993) : 11-13.
高技术

21世纪微电子技术发展展望

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清华大学微电子学研究所,北京100084

Pros pe cts for the De velopment of the Microele ctronic Te chnology in the 21st Century

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摘要

一、集成电路技术的高速发展几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔(Moore)定则指出,IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每3年左右为一代,每代翻两番。对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30%。根据按比例缩小原理(Scal澊ingDownPrinciple),特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率越低。所以,IC的每一代发展不仅使集成度提高,同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与IC加工精度提高的同时,加工的硅园片的尺寸却在不断增大(现在直径已达到8英寸,不久可望达到12英寸),生产硅片的批量也不断提高。

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李志坚. 21世纪微电子技术发展展望[J]. 科技导报, 1999, 17(993): 11-13
Pros pe cts for the De velopment of the Microele ctronic Te chnology in the 21st Century[J]. Science & Technology Review, 1999, 17(993): 11-13
中图分类号: TN4-1   
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