Micro-LED新型显示技术的现状、挑战及展望
庄喆,助理教授,研究方向为宽禁带半导体材料与器件,电子信箱:zzhuang@nju.edu.cn |
收稿日期: 2024-08-20
网络出版日期: 2025-02-19
版权
Micro-LED display technology: Present status, challenges, and future perspectives
Received date: 2024-08-20
Online published: 2025-02-19
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微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比其与现有技术的性能,从材料、器件、集成和成本良率等几个角度探讨了Micro-LED新型显示技术的关键技术挑战。未来3~5年内,Micro-LED显示技术仍然会在材料、器件、集成等技术方面存在技术创新和重大突破的关键机会,该技术支撑着未来显示产业的发展,也是中国科技创新引领全球的一次重要科技革命。建议鼓励创新,营造良好的科技创新环境,通过产学研合作解决当前Micro-LED新型显示技术的关键问题。同时发挥市场和社会资本的作用,引导产业遵循技术发展和商业发展规律。Micro-LED显示产业尽管仍面临技术挑战,但增强现实等近眼显示设备的推出,可能彻底革新现有的显示产品形态,Micro-LED显示产业市场将可能迎来爆发式增长。
关键词: Micro-LED新型显示; Micro-LED芯片; 技术挑战; 产业发展
庄喆 , 刘斌 . Micro-LED新型显示技术的现状、挑战及展望[J]. 科技导报, 2025 , 43(2) : 42 -51 . DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2024.08.01026
1 |
欧阳钟灿. 新型显示技术在崛起[N]. 人民日报, 2022-09-13(20).
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2 |
History of display technology[EB/OL]. [2024-01-20]. https://en.wikipedia.org/wiki/History_of_display_technology.
|
3 |
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4 |
|
5 |
|
6 |
LG signature z988 inch class 8k smart OLED TV w/AI ThinQ (87.6''Diag)[EB/OL]. [2024-01-20]. https://www.lg.com/us/tvs/lg-OLED88Z9PUA-signature-oled-8k-tv.
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15 |
Yadavalli K, Chuang C L, El-Ghoroury H S. Monolithic and heterogeneous integration of RGB micro-LED arrays with pixel-level optics array and CMOS image processor to enable small form-factor display applications[C] //Proceedings of Optical Architectures for Displays and Sensing in Augmented, Virtual, and Mixed Reality (AR, VR, MR). SPIE, 2020: 746.
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19 |
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20 |
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21 |
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22 |
Day J, Li J, Lie D Y C, et al. Ⅲ-nitride full-scale high-resolution microdisplays[J]. 2011, 99(3): 031116.
|
23 |
Crystal LED[EB/OL]. [2024-01-20]. https://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_LED.
|
24 |
Samsung homepage[EB/OL]. [2024-01-20]. https://www.samsung.com/us/business/displays/direct-view-led/the-wall.
|
25 |
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26 |
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27 |
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28 |
|
29 |
|
30 |
Li P P, Li H J, Zhang H J, et al. Size-independent peak external quantum efficiency (>2%) of InGaN red micro-light-emitting diodes with an emission wavelength over 600 nm[J]. 2021, 119(8): 081102.
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