专题:集成电路

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

  • 郝跃
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  • 1. 国家自然科学基金委员会信息科学部, 北京 100084;
    2. 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710126
郝跃,中国科学院院士,国家自然科学基金委员会信息科学部主任,西安电子科技大学教授,主要研究方向为宽禁带半导体器件与材料、微纳半导体新器件与新材料等

网络出版日期: 2019-02-27

摘要

宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。

本文引用格式

郝跃 . 宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展[J]. 科技导报, 2019 , 37(3) : 58 -61 . DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2019.03.008

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